2026/11/10 3:25
インフィニオンが 300 ミリパワーシリコンカーバイドウェハの開発で技術的マイルストーンに到達
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要約▶
Japanese Translation:
インフィニオンは、オーストリアのウィラッヒ工場で半導体製造プラント内で標準的な産業用機能デバイスを初めて300mmシリコンカーバイド（SiC）ウェハー上で成功裏に処理し、既存のシリコン設備を活用して大規模な半導体製造プラントにおいてこの革新を先駆けた初の企業となりました。これは自動車、再生可能エネルギー、産業、AIデータセンター分野のための堅牢で将来性の高いサプライチェーンの確立につながります。その核心的優位性は拡張可能性にあります：300mmウェハーはより小さな200mm同等品よりも2.3倍多くのチップを生産し、製造効率を大幅に向上させます。この移行をサポートするため、インフィニオンは既存のシリコン設備を大型化に対応させるように適応させ、ドレスデン拠点では「Cold Split」技術を検証して材料廃棄物と処理時間をさらに削減しました。EV充電器やソリッドステートトランスフォーマーなど既にサービスを提供している広範なCoolSiC™ポートフォリオにより、この革新は現代インフラストラクチャの高出力・高温要求に対応し、これらのアプリケーションにおける低電力損失および高電力密度を実現します。今後、インフィニオンは2026年11月10日から13日にミュンヘンのelectronicaでこれらの最初のウェハーを公開する予定です（ブース502、ホールC3）。CEOのヨッヘン・ハネベック氏は、このマイルストーンがインフィニオンのパワーシステム分野でのリーダーシップを強化し、拡張可能な半導体製造による収益性のある成長を推進すると述べています。並行して、同社は2026年10月27日にウィラッヒの300mmウェハーにおける大規模生産向けガリウムナイトライド施設の投資として11億ユーロを投入することで、次世代製造能力のさらなる拡張を発表しました。2025年9月末時点でのインフィニオンは全世界で約57,000人の従業員を抱え、2025年9月30日までの会計年度で約147億ユーロの売上を達成しています。
本文
インフィニオン、業界初・300mm SiC ウエハーでの量産化成功を発表
インフィニオンは、業界初の 300 ミリルム（mm）炭化ケイ素（SiC）ウエハー上で動作可能なパワーデバイスの量産化に成功しました。この画期的な成果は、同社の半導体における革新力と広帯域ギャップ技術分野でのリーダーシップを再確認させます。
発表のポイント
- 歴史的マイルストーン: フルスケールの半導体製造環境において、300mm SiC プロセス実現の第一人者となりました。
- 既存設備の活用: 新しい専用ラインだけでなく、既存のシリコン（Si）製造施設を活用して達成した点に革新性があります。
- 供給チェーンの強化: 自動車、再生エネルギー、産業機器、AI データセンター向けに、安全かつ持続可能な SiC サプライチェーンの基盤を築きます。
- 効率性の向上: 200mm ウエハーと比較し、1 ウエハーあたりのチップ生産数を約2.3 倍に増やす技術的進歩を遂げました。
シェアリング：ヨヘン・ハーネッベック CEO
ミュンヘンの electronica 見本市開催前に発表されたコメントより。
- リーダーシップの強化: 「パワーシステム分野における我々のリーダーシップをさらに強化するものです。」
- 实验室から量産へ: 情熱を持って實驗室から量産環境へと 300mm SiC を引き出し、大幅な進歩をもたらしたチームに感謝を表しました。
- 継続的な進化: 「半導体製造の規模拡大を推進し、収益性の高い成長を実現するための最適な位置」にいることを宣言しました。
具体的な技術的メリット
SiC は高効率パワー変換のための重要な材料であり、以下の利点があります。
- 電力損失の低減
- 高出力密度の実現
- 高電圧・高温下での効率的動作
アプリケーション事例
インフィニオンは「CoolSiC™」ポートフォリオを通じて、以下への供給を可能にします。
- 牽引インバーター、車載充電器（OBC）、EV 充電器
- 大規模エネルギー貯蔵システム、産業用モータードライブ、UPS
- AI データセンター: 固体トランスフォーマー、遮断機、電源ユニットなど
並行して達成した「Cold Split」技術
インフィニオンは同時に、ドイツ・ドレスデン拠点で300mm SiC の"Cold Split"技術の適用にも成功しました。
- 材料ロスの削減: 従来のワイヤーソーイングと比較し、切削破片を極小化。
- 処理時間の短縮: 生産効率を大幅に向上。
- コスト効果: 同じ結晶からより多くのウエハーを得ることで、資本支出を抑えつつ生産性を高めます。
今後のロードマップと投資戦略
インフィニオンは 200mm SiC ロードマップの継続実行と並行し、300mm テクノロジーの計画と導入タイミングを検討しています。
- 巨額の投資発表: 2026 年 10 月 27 日、オーストリア・ビルアッハで約11 億ユーロを投資して、300mm SiC ウエハー上での高出力 GaN パワー半導体の量産ライン構築を発表しました。
- 広帯域ギャップ材料の拡大: SiC への成功は、シリコン、窒化ガリウム（GaN）、そして 300mm SiC の 3 つを網羅する製造能力を示しており、革新リーダーとしての地位を強化しています。
electronica 2026での公開予定
インフィニオンは「electronica」にて、世界で初めて処理済みの 300mm SiC ウエハーを一般公開します。
場所：ドイツ・ミュンヘン（ホール C3、ブース 502） 日時：2026 年 11 月 9 日（プレスリリース）〜 11 月 10 日（一般公開） ウェブサイト：www.infineon.com/electronica
アップ来社概要
- 事業内容: パワーシステムと IoT 分野の世界的半導体リーダー。
- ビジョン: 製品・ソリューションを通じて脱炭素化とデジタル化を推進。
- 規模（2025 年 9 月末時点）: 従業員数約 57,000 名、売上高約 147 億ユーロ。
- 上場状況: フランクフルト証券取引所（IFX）、米国 OTCQX（IFNNY）。